reverse breakover voltage

См. также в других словарях:

• ГОСТ 20332-84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров — Терминология ГОСТ 20332 84: Тиристоры. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа: 110. Время включения тиристора E. Turn on time F. Temps d’amorcage tувкл, tвкл Интервал времени, в течение которого тиристор… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• semiconductor device — ▪ electronics Introduction       electronic circuit component made from a material that is neither a good conductor nor a good insulator (hence semiconductor). Such devices have found wide applications because of their compactness, reliability,… …   Universalium

• Thyristor — The thyristor is a solid state semiconductor device with four layers of alternating N and P type material. They act as bistable switches, conducting when their gate receives a current pulse, and continue to conduct for as long as they are forward …   Wikipedia

• напряжение — 3.10 напряжение: Отношение растягивающего усилия к площади поперечного сечения звена при его номинальных размерах. Источник: ГОСТ 30188 97: Цепи грузоподъемные калиброванные высокопрочные. Технические условия …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации

• Silicon-controlled rectifier — A silicon controlled rectifier (or semiconductor controlled rectifier) is a four layer solid state device that controls current. The name silicon controlled rectifier or SCR is General Electric s trade name for a type of thyristor. The SCR was… …   Wikipedia

• ток — ((continuous) current carrying capacity ampacity (US)): Максимальное значение электрического тока, который может протекать длительно по проводнику, устройству или аппарату при определенных условиях без превышения определенного значения их… …   Словарь-справочник терминов нормативно-технической документации